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【40周年校慶學術活動】意大利ISMN所長Muccini博士應邀到光電學院開展學術交流

來源: 光學與電子科技學院 作者:趙虹 添加日期:2018-10-17 09:09:40 閱讀次數:

         10月16 日下午13:30, 作為中國計量大學40周年校慶系列活動之一, 意大利國家研究委員會(National Research Council,CNR)納米結構材料研究所(Institute for Nanostructured Materials,ISMN)所長Michele Muccini博士在環宇樓T301為我校師生做了題為“Science and technology of organic light-emitting transistors(OLETs)(發光晶體管的科學與技術)”的學術報告,光電學院、材料學院和其它學院150余名師生參加了報告會。報告會由劉祖剛教授主持。

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       報告中,Muccini博士首先簡要介紹了CNR和ISMN,CNR是意大利國家研究委員會,是歐洲最大和最重要的科研network之一,下屬102個研究所,擁有12000多名職工。ISMN是CNR其中一個研究所,在意大利有4個分所。接著,Muccini博士介紹了CNR的技術轉移機構“MIST E-R”以及它如何在基礎研究和產業化之間起的橋梁作用。

       Muccini博士著重地介紹了發光晶體管OLETs的科學與技術問題。OLETs 把晶體管的電流調制功能和光發射結合起來,提供了簡化了的納米尺寸光源的方案和高度集成的有機光電子。相對于垂直結構的OLEDs,OLETs的平面結構更有可能使用較為簡單的器件結構實現類似的光電和光子學性能,較高的功能調制性能和較低的生產成本。根據最近的高亮度、高效率和更可靠的器件結果,可以預見在不遠的將來,OLETs與成熟的電子和光子平面技術的完美配合,將開發出用于不同領域的技術方案,包括醫學、顯示和傳感等。然而,要在實踐上實現OLETs技術的應用,還需要在器件結構方面進行深入地研究,以降低工作電壓并提高光子學性能。Muccini博士還分享了他們在適用于單層或多層OLETs的半導體材料的電、光電子和光子學特性的分析、光子柵極電介質等方面的研究成果。

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       報告后,Muccini博士與參會師生進行了廣泛深入地討論,回答了許多技術問題,并探討了CNR-ISMN與中國計量大學開展學術合作的可能性。Muccini博士的報告會,不僅對我校師生的研究工作有很大的啟發作用,也對中國計量大學與CNR-ISMN的合作提供了新的方向。

       Muccini博士是意大利國家科學院(CNR)納米結構材料研究所(ISMN)總所所長,CNR羅馬一區所長委員會的主席,CNR產業協調委員會的主席,他曾經是CNR與意大利著名的SAES Getter公司合資公司的CTO和CEO。他是集科研和技術轉移的典范。Muccini博士畢業于意大利著名的博洛尼亞大學物理系,他曾在德國的University of Marburg學習。自1992年進入CNR工作以來,在學術方面卓有成效,特別是在有機發光晶體管(Organic Light Emitting Transistors, OLETs)獨有建樹。發表論文220多篇,被引超過7000次,著有專著Organic Light Emitting Transistors。 

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