報告題目：金屬性半導體納米材料的合成與應用
        時    間：5月4日（周五）下午3:00
        地    點：仰儀南樓207-2
        報告摘要：
        三氧化鎢、三氧化鉬等傳統半導體材料在催化、傳感、光電轉化領域具有非常重要的應用價值，但是由于其較大的能帶間隙，其應用范圍的擴展受到阻礙。最近發現，通過引入氧空位缺陷，可以使這些傳統的半導體材料具有金屬性，大大提高了其自由電子密度，增加了表面反應活性位點。通過這種思路制備出的W18O49超細納米線、MoO2納米片等納米材料具有從可見到近紅外的寬光譜吸收特性，顯示出較好的光催化二氧化碳還原的能力；利用這些氧空位的弱還原能力，還可以在半導體表面原位地生長超細金屬納米粒子，避免了引入外來的還原劑和保護劑；金屬性的二氧化鉬在可見光區具有強烈的局域等離子體共振(LSPR)效應，利用這種SPR效應，組裝出的二氧化鉬表面增強拉曼光譜（SERS）芯片顯示出高增強因子和超低的檢出限，并且表現出了優秀的化學、熱穩定性。這些研究結果表明，通過設計合成氧空位缺陷型的半導體納米材料，可以調控其能帶間隙、自由電子密度、表面活性位點密度，開啟新的應用領域。　
　　報告人簡介：
　　席廣成，2007 年獲得中國科學技術大學無機化學專業博士學位，2009-2011 年在日本國立材料研究所從事博士后研究工作。現任中國檢驗檢疫科學研究院工業與消費品安全研究所副所長, 國家質檢總局納米材料與產品檢測研究中心副主任。長期從事納米材料的結構表征、標準化及其在有害物質檢測中的應用基礎研究。近五年來，主持國家重大研發項目1項，完成國家自然科學基金項目2項、質檢公益科研專項1項、質檢總局科研項目2項。完成國家標準 6 項, 獲得省部級科技進步獎勵 5項，獲得發明專利授權10 項，在Nature Communications, Journal of American Chemistry Society, Angew Chemistry, Analytical Chemistry 等刊物上發表論文70 余篇，他引5000余次。　　
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機電工程學院
2018年4月24日