報告題目：銅表面石墨烯CVD生長的氫氧調(diào)控
　　報告時間：2017年9月15日（星期五）下午14：00
　　報告地點：賽博南樓403-1會議室
　　報告人：于廣輝
　　報告人簡介：
　　于廣輝博士，中科院上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室研究員，博士生導師。1999年在中科院長春物理所凝聚態(tài)物理專業(yè)獲得博士學位，1999-2002在日本千葉大學從事博士后研究，曾獲千葉大學“Nanohana Venture competition”獎勵。長期從事寬禁帶氮化物材料以及石墨烯及過渡金屬硫化物等二維材料的研究工作，作為課題負責人承擔過863、973、國家重大專項、國家自然科學基金等科研項目十余項。在高質(zhì)量石墨烯薄膜材料的制備與應用研究方面，擔任國家02重大專項“晶圓級石墨烯材料與器件研究”項目中的石墨烯材料制備課題負責人。設計并建立了12英寸石墨烯生長用CVD設備，建立的大面積石墨烯薄膜的生長與轉(zhuǎn)移技術。提出了多種石墨烯薄膜的摻雜改性方法；通過與器件單位合作，制備出截止頻率超過290GHz的FET器件。相關結(jié)果在APL、carbon、nanoscale、nature communication等主流雜志共發(fā)表SCI論文50多篇，申請發(fā)明專利40多項，其中已授權20項。
　　報告內(nèi)容簡介：
　　化學氣相沉積（CVD）是制備石墨烯薄膜的重要方法，具有大面積、高質(zhì)量、低成本的特點。生長氣氛中的氫氣以及氬氣中的氧氣雜質(zhì)對于石墨烯薄膜的制備具有重要影響，我們通過對于石墨烯生長不同階段中的氫氧組分的調(diào)控，揭示了氫氧對于石墨烯的成核、缺陷、形貌等因素的影響機理，相關結(jié)果將有助于實現(xiàn)高質(zhì)量石墨烯薄膜的可控制備。

光學與電子科技學院
2017年9月14日